홀 센서(Hall Sensor)의 기능은 전류가 흐르는 도체에 수직으로 자기장을 적용하면 전류 방향으로 전압(홀 전압)이 생성된다는 홀 효과의 물리적 원리에 기반을 두고 있습니다. 이 효과는 발견자인 에드윈 허버트 홀(Edwin Herbert Hall, 1855~1938)의 이름을 따서 명명되었습니다.
터널자기저항(TMR) 기술은 양자역학적 효과를 기반으로 합니다. 자기저항(MR) 효과에서 자기장의 변화는 전기 저항의 변화로 이어집니다. 그 결과, 자기장과 전기 변수는 서로의 관계에 따라 측정될 수 있습니다. TMR은 터널 효과로 인해 자기장이 가해지면 저항이 훨씬 더 크게 변하는 특수한 형태의 MR 기술입니다.
